The site is in test mode

Articles

РАСШИРЕНИЕ ОБЛАСТИ СПЕКТРАЛЬНОЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ КРЕМНИЕВЫХ ФОТОЭЛЕМЕНТОВ ВЫРАЩИВАНИЕМ ТВЕРДОГО РАСТВОРА (SI2)1-X(GAP)X(0≤X≤1)

Д.В.САПАРОВ, М.С.САИДОВ, А.С.САИДОВ,

2016 (3)    Solar Engineering Materials Science

Цитировать:

Д.В.САПАРОВ, М.С.САИДОВ, А.С.САИДОВ, РАСШИРЕНИЕ ОБЛАСТИ СПЕКТРАЛЬНОЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ КРЕМНИЕВЫХ ФОТОЭЛЕМЕНТОВ ВЫРАЩИВАНИЕМ ТВЕРДОГО РАСТВОРА (SI2)1-X(GAP)X(0≤X≤1)

Работа посвящена выращиванию гетероэпитаксиального слоя GaP на кремниевую подложку, через буферный слой, состоящий из непрерывного твердого раствора замещения (Si2)1-x(GaP)x(0x1) из жидкой фазы. Выращенные при температуре 950-830 оС эпитаксиальные пленки имели n- тип проводимости и удельное сопротивление ~ 0,01 Омсм. Толщина эпитаксиальных пленок составляла 10–15 мкм. Исследована спектральная чувствительность pSi-n(Si2)1-X(GaP)X (0X1) гетероструктуры, которая позволяет расширить область спектральной  увствительности кремниевых фотоприемников и фотоэлементов.
 

Физико-технический институт НПО «Физика – Солнце» АН РУз
dada@uzsci.net

 

Количество загрузок:

240