The site is in test mode

Articles

Синтез, структура и электрофизические свойства гетероструктур n-GaAs – p-(GaAs)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y.

Synthesis, structure and electro-physical properties n-GaAs - p- (GaAs)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y heterostructures

S.Z. Zainabidinov1, A.S. Saidov2, M.U. Kalanov3, A.Y. Boboev1,3,

2019 (4)    Solar Engineering Materials Science

Цитировать:

S.Z. Zainabidinov1, A.S. Saidov2, M.U. Kalanov3, A.Y. Boboev1,3, Синтез, структура и электрофизические свойства гетероструктур n-GaAs – p-(GaAs)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y.

Substrate, film, mono-crystal, sphalerite, nano-island, drift, recombination, complex, photosensi-tivity.

Приведен обзор экспериментальных и теоретических исследований по технологии получения монокристаллического твердого раствора замещения p-(GaAs)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y на (GaAs) с заданной кристаллографической ориентацией методом жидкофазной эпитаксии. Приведены методики определения оптимальных параметров выращенных эпитаксиальных пленок, на основе анализа литературных данных и экспериментальных результатов авторов установлены наиболее оптимальные параметры эпитаксиальных пленок; твердые растворы (GaAs)0.69(Ge2)0.17(ZnSe)0.14 имеют сфалеритную структуру и определены возможные конфигурации расположения атомов и молекул. Установлено, что парные атомы Ge частично замещают молекулы GaAs в дефектоспособных областях матричной решетки, а молекулы селенида цинка образуют наноостровки на поверхностном слое твердого раствора GaAs1-xGex, которые имеют геометрическую форму dome, с латеральными размерами 55-65 нм. Исследованиями механизмов переноса тока в n-GaAs – p-(GaAs)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y гетероструктур при комнатной температуре показано, что в интервале напряжений от 0,7 до 3 В в зависимостях тока от напряжений наблюдаются степенные зависимости J=АVα1=2, α2=2.7 и α3=3), которые возникают за счет образования сложных рекомбинационных комплексов; заметная фоточувствительность n-GaAs – p-(GaAs)0.69(Ge2)0.17(ZnSe)0.14 гетероструктуры начинается при энергии фотонов 1.16 эВ, а максимальная – наблюдается при энергии фотонов 1,38 эВ. В коротковолновой области спектра излучения наблюдаются пики с максимумами при энергиях фотонов 1.37, 1.47, 1.65, 1.88, 2.3 и 2.62 эВ, а также пологий участок при 2.26-2.46 эВ. Анализ с помощью Гауссокого приближения показал, что эти особенности фотоспектра связаны с состоянием атомов составляющих компонентов и их взаимодействием при освещении солнечным светом. Установлено, что гетероструктуры обладают свойством управляемой селективной фоточувствительности.

Andijan State University named after Z.M. Babur,

Physical-Technical Institute SPA "Physics-Sun" of the Uz AS,

 Institute of Nuclear Physics of the Uzbekistan Academy of Sciences,

  aboboevscp@gmail.com

Количество загрузок:

0