The site is in test mode

Articles

ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА N/6H-SIC - P+/3C-SIC И N/6H-SIC - Р/САЛМАЗ ГЕТЕРОСТРУКТУР, ПОЛУЧЕННЫХ CVD-МЕТОДОМ

Т.М. Салиев, С.Л. Лутпуллаев, А. Кутлимратов, Н.Т. Муталов,

2015 (2)    Solar Engineering Materials Science

Цитировать:

Т.М. Салиев, С.Л. Лутпуллаев, А. Кутлимратов, Н.Т. Муталов, ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА N/6H-SIC - P+/3C-SIC И N/6H-SIC - Р/САЛМАЗ ГЕТЕРОСТРУКТУР, ПОЛУЧЕННЫХ CVD-МЕТОДОМ

Исследованы УФ фотоприемники (ФП), работающие в спектральном диапазоне УФ солнечного
излучения, сильно влияющих на жизнедеятельность живых организмов, обитающих на Земле, в том
числе человека. Рассмотрены две разновидности УФ ФП, созданные на базе политипа 6H-SiC: n/6HSiC - p+/3C-SiC и n/6H-SiC - р/Салмаз гетероструктур. Приведены их зонные энергетические диаграммы и спектры фоточувствительности в фотогенерационном и фотодиодном режимах измерения.
 

1 Institute for Problems of Materials Science of NAS of Ukraine, Ukraine

Institute for Metal Physics of NAS of Ukraine, Ukraine

yurimlyt@mail.ru

Количество загрузок:

278