The site is in test mode

Articles

ВЛИЯНИЕ КОНЦЕНТРИРОВАННОГО СОЛНЕЧНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА GAAS /ALGAAS ГЕТЕРОФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ С ОГРАНИЧЕННЫМ ПОГЛОЩАЮЩИМ СЛОЕМ

М.А. Абдукадыров 1, А.С. Ганиев 1, Р.А. Муминов 2. А. Абдукадыров 1, А.С. Ганиев 1, Р.А. Муминов 2,

2015 (4)    Direct Conversion of Solar Energy into Electrical Energy

Цитировать:

М.А. Абдукадыров 1, А.С. Ганиев 1, Р.А. Муминов 2. А. Абдукадыров 1, А.С. Ганиев 1, Р.А. Муминов 2, ВЛИЯНИЕ КОНЦЕНТРИРОВАННОГО СОЛНЕЧНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА GAAS /ALGAAS ГЕТЕРОФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ С ОГРАНИЧЕННЫМ ПОГЛОЩАЮЩИМ СЛОЕМ

Изучены фотоэлектрические и тепловые свойства GaAs/AlGaAsгетерофотопреобразователей (ГФП) с подложкой GaP в диапазоне концентраций солнечного излучения Кс =1+100 в режиме пассивного теплоотвода. Выявлено, что ограничение суммарной толщины GaAs до 5 мкм в гетероструктуре и наличие широкозонногоGaP со сравнительно высокой теплопроводностью между р-n переходом и теплоотводом, способствуют ослаблению роста температуры р-n перехода почти в 2 раза по сравнению с GaAs/AlGaAs ГФП традиционной конструкции.
 

Ташкентский университет информационных технологий 

Физико-технический институт НПО «Физика-Солнце» АН РУз

ganiyev58@mail.ru

Количество загрузок:

244